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SiRA10DP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
100
0.010
I D = 10 A
0.008
T J = 150 ° C
10
0.006
T J = 125 ° C
1
0.1
T J = 25 ° C
0.004
0.002
0.000
T J = 25 ° C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.1
1.9
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.7
60
1.5
1.3
1.1
0.9
I D = 250 μA
40
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
1000
100
10
1
Limited by R D S (on) *
Time ( s )
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 m s
10 m s
100 m s
1 s
0.1
T A = 25 ° C
10 s
DC
BVD SS Limited
0.01
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
S14-0158-Rev. B, 03-Feb-14
4
Document Number: 63820
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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